本标准代替ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８ 《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分），本标准分
为７个部分,本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第６部分。 本部分规定了微电子技术用贵金属浆料分辨率的测定方法。
本部分适用于微电子技术用贵金属浆料的分辨率测定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８ 《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 分辨率测定》。
本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８相比，主要有如下变动：
———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法 分辨率测定；
———增加了固化型贵金属浆料分辨率测定的内容；
———原“光刻膜丝网网径２０２５μｍ 不锈钢丝网”改为“光刻膜丝网，丝网孔径不大于５４μｍ”；
———增加６．３将印有固化型的试样按其规定的工艺要求进行静置、烘干、固化，固化后试样膜厚控制在１μｍ～１５μｍ；
———分辨率规格分级重新定义为０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ 五个级别。
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
GB/T8170 数值修约规则
